Bau hybrider Mikroschaltungen: Einführung in die Dünn- und by Dr.-Ing. Ernst Lüder (auth.)

By Dr.-Ing. Ernst Lüder (auth.)

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Technische Informatik 1: Grundlagen der digitalen Elektronik

Die beiden Bände Technische Informatik bieten einen verständlichen Einstieg in dieses wichtige Teilgebiet der Informatik. Band 1 Grundlagen der digitalen Elektronik führt in die für die Elektronik wichtigen Gesetze der Physik und der Elektrotechnik ein. Sodann werden Halbleiterbauelemente und darauf aufbauend Verknüpfungsglieder, Schaltnetze, Speicherglieder, Schaltwerke und integrierte Schaltungen behandelt.

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15~m Dicke 3 ••• 4 Haftfestigkeit in N/mm 2 auf 23 AI-Keramik (gealtert) a T, U Bonden Viskositat in kcpcbei n= 1O/min, r= 1,6mm 25°C, nach Bild 39 Au-Pt Ag 60 ••. •• 100 1,5 ... • 300 150 ••. /cm) Ag-Pt Ag-Pd 2 •.. •• 250 270 ••• 330 125 ••• 200 125 ••• 200 aT: Thermokompression mit Au-Drahten, U: Ultraschallbonden mit AI-Drahten, L: Loten. b Gemessen mit Kegelspindel ansteIle der zylindrischen Spindel in Bild 39, C kcp = kilocentipoise. 4 Pasten 45 Bei Zusatz von Palladium- oder von Platin-Pulver werden diese Mangel herabgesetzt.

To- 3 9,3 10 to 0,35 6,4 1650 1500 96 %-AlKeramik ••• <10- 4 9,1 >10 to 0,37 6,0 2040 10000 a 99,5 %-AlKeramik 250 b <10- 4 9,4 ... 11,5 c >10 to 0,42 6,0 2040 <25 Saphir (Einkrist. ) 6. =l. >-j rl- c:r rn J: en w CJ) N 3. 2 Wolbung der festen Substrate Die WOl bung des Substrates (englisch camber) erschwert die Abbildung der Struktur von einer Maske auf das Substrat. Ein MaB fUr sie ist mit den Erkliirungen in Bild 23 do/D, wofUr bei Glas und Keramik Werte von 0,1 bis 0,4% ausreichend sind. f--I .

H. (71) Dieses Gesetz entspricht der Serienschaltung von Ohmschen Leitwerten. Fur die Parallelschaltung der Rohren ergibt sich gleichermai3en der gesamte Leitwert (72) Unter dem Saugvermogen Seiner Pumpe versteht man S =Q p 1 d(pV) dt P (73) wobei (63) verwertet wurde. Andert sich p mit t, so ist S druckabhangig, sonst gilt nach (73) S = - dV /dt. h. 1 1 ~ L 1 (74) - S2 1st S2 das Saugvermogen Sp der Pumpe, S1 = Seff das Saugvermogen am Ausgang des Rezipienten und L der Leitwert der Verbindung zwischen Rezipienten und Pumpe, so gilt mit (74) 1 Seff 1 1 Sp + L oder S L -E- Seff = S p (75) +L Das Saugvermogen am Saugstutzen des Rezipienten wird effektiv genannt, da es fUr die Evakuierung maBgeblich ist.

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